Gamintojo produkto numeris:
TSM900N10CH X0G
Product Overview
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalių numeris:
TSM900N10CH X0G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 15A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventorius:
12896997
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TSM900N10CH X0G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
15A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1480 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
50W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251 (IPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pagrindinio produkto numeris
TSM900
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TSM900N10CHX0G
TSM900N10CH X0G-DG
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TSM2308CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
TSM061NA03CV RGG
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
TSM2N100CP ROG
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252
